前言

在AI算力持续扩张的带动下，数据中心的供电需求正进入更高功率以及更高布局密度密度新阶段，单机柜功耗不断上探。与此同时，功率半导体厂商也在把AI数据中心供电作为明确的增量方向加大投入，AI数据中心相关电源与功率器件的需求增长正在重塑行业相关资源分配。

在在实际供电设计层面，CPU、GPU以及加速卡对瞬态响应、效率的要求同步提升，使得功率级集成成为更现实的选择。而DrMOS技术彻底改变了传统板卡供电设计思路。在传统方案中，上下管MOSFET与驱动IC独立放置，不仅占用较大PCB空间，还因寄生参数带来转换效率下降的问题，尤其在应对 CPU、GPU 等高功率需求时表现不佳。DrMOS则将驱动器与MOSFET集成于一体，大幅降低寄生效应，整体占板面积仅为传统设计的四分之一，在提升功率密度的同时兼顾效率与稳定性。

如今，DrMOS已被广泛应用于AI数据中心以及个人PC等高性能设备，为消费级、数据中心等场景提供高效紧凑的供电解决方案，推动设备向高性能、小型化与节能化方向持续演进。

多家厂商相继推出DrMOS

文中出现的DrMOS如上表所示，下文小编将为您详细介绍。

ADI亚德诺

LTC7051

LTC7051是一颗采用LQFN 5×8mm的DrMOS，支持140A峰值输出电流，采用低EMI/EMC Silent Switcher2架构，低SW电压过冲，频率高达2MHz，VIN高达14V，1MHz时效率高 94%，并具有1.8VOUT，芯片内集成升压二极管和电容器以及电源开关。

AOS万国半导体

AOZ52177QI

AOZ52177QI是一款通用型智能功率级，支持70A持续输出电流，包含两个非对称的MOSFET和一个集成驱动器，适用于高电流、高频率的DC-DC转换器。AOZ52177QI提供输出电流信号 (IMON)，能以5mV/A的增益实时报告模块电流。IMON 信号可直接用于多相电压调节系统中，替代电感 DCR 检测或电阻检测，无需温度补偿。

此外，AOZ52177QI还配备精准的模块温度监测功能 (TMON)，TMON 是一种电压源信号，增益为8mV/°C。其MOSFET经过单独优化，适用于同步降压配置。高端 MOSFET 旨在实现低电容和低栅极电荷，以快速切换并支持低占空比操作；低端 MOSFET 具有超低导通电阻，可最大限度地降低传导损耗。标准的QFN封装经优化设计，可最小化寄生电感，从而实现最小的电磁干扰 (EMI) 签名。

AOZ53071QI

AOZ53071QI是一款高效同步降压功率级模块，支持80A持续输出，包含两个不对称的 MOSFET和一个集成驱动器。这两个 MOSFET 分别针对同步降压配置进行了优化。高压侧 MOSFET经优化后具有低电容和低栅极电荷，可实现快速开关和低占空比操作。低压侧 MOSFET具有超低导通电阻，可最小化传导损耗。

AOZ53071QI采用 PWM 输入来精确控制功率 MOSFET，与3V和5V（CMOS）逻辑兼容，并支持三态 PWM。该器件具有多种特性，使其成为一个高度通用的功率模块。其驱动器中集成了自举开关。低压侧MOSFET可以被驱动到二极管仿真模式，以提供异步操作并改善轻载性能。其引脚布局也针对低寄生参数进行了优化，将寄生参数的影响降至最低。

AOZ5507QI

AOZ5507QI是一款高效率的同步降压功率级模块，支持30A电流持续输出，它由两个不对称的MOSFET和一个集成驱动器组成。这些MOSFET分别针对同步降压配置进行了优化。高边MOSFET经过优化，能够实现低电容和低栅极电荷，从而在低占空比操作下实现快速开关。低边MOSFET具有超低导通电阻，以尽量减少导通损耗。

AOZ5507QI使用PWM输入来精确控制功率MOSFET的开关活动，与5V（CMOS）逻辑兼容，并支持三态PWM。AOZ5507QI提供了多种功能，使其成为一个高度通用的功率模块。驱动器中集成了自举开关。低边MOSFET可以被驱动进入二极管仿真模式，以提供异步操作并提高轻载性能。此外，引脚布局也针对低寄生效应进行了优化，将这些效应降至最低。

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AOZ5517MQI

AOZ5517MQI是一款高效率的同步降压功率级模块，支持60A持续输出，包含两个不对称的MOSFET和一个集成驱动器。这些MOSFET针对同步降压配置进行了单独优化。高压侧MOSFET经过优化，可实现低电容和低栅极电荷，以实现快速切换和低占空比操作。低压侧MOSFET具有超低导通电阻，可最小化传导损耗。紧凑的QFN封装可最小化寄生电感，从而实现极低的电磁干扰(EMI)特性。

AOZ5517MQI支持PWM和/或FCCM输入，可实现对功率MOSFET切换活动的精确控制，与5V CMOS逻辑兼容，并支持三态PWM。AOZ5517MQI驱动器中集成了自举二极管。低压侧MOSFET可以被驱动进入二极管仿真模式，以提供异步操作并提高轻载性能。引脚布局也针对低寄生参数进行了优化，将其影响降至最低。

AOZ5653BQI

AOZ5653BQI是一款高效率同步降压功率级模块，支持40A电流持续输出，由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成。MOSFET经过单独优化，适用于同步降压配置。高侧MOSFET优化为低电容和栅极电荷，以实现低占空比操作下的快速开关。低侧MOSFET 具有超低导通电阻，以将传导损耗降至最低。紧凑的QFN可最大限度地减少寄生电感，从而将EMI特征降至最低。可直接替代TDA21240。

AOZ5653BQI采用PWM来精确控制MOSFET的开关，与3.3V逻辑兼容，提供了多项功能，使其成为一款高度通用的电源模块。驱动器中集成了自举开关。引脚排列也经过优化，以降低寄生效应，将其影响降至最低。

Aurasemi奥拉

AU4991

AU4991是奥拉推出的一款DrMOS，其将功率MOS栅极驱动器高度集成，用于高功率密度多相同步降压。器件VIN输入4.5~16V、可提供90A输出电流能力，支持3.3V三态PWM 输入并可实现节能工作模式；最高工作频率可达2MHz。此外，该芯片集成精准电流报告与精准温度报告，并内置过流/过温保护、VDD/VDRV与 VIN欠压锁定、高低侧短路保护、以及TLVR开路/短路检测保护等，同时具备故障上报能力，便于与控制器联动实现更稳健的系统保护策略。而在封装层面，则采用LGA封装。

从应用角度看，AU4991主要瞄准服务器、工作站与企业存储等高电流 POL 供电场景，典型负载包括 CPU/GPU/ASIC/AI芯片的核心电压轨，以及各类板级电源模块/多相 VR供电等场景。

AU4992

AU4992同样是奥拉推出的DrMOS，其将功率MOS栅极驱动器高度集成，用于高功率密度多相同步降压。器件VIN输入4.5~16V、可提供90A输出电流能力，支持3.3V三态PWM 输入并可实现节能工作模式；最高工作频率可达1.5MHz。此外，该芯片集成精准电流报告与精准温度报告，并内置过流/过温保护、VDD/VDRV与 VIN欠压锁定、高低侧短路保护、以及TLVR开路/短路检测保护等，同时具备故障上报能力，便于与控制器联动实现更稳健的系统保护策略。而在封装层面，则采用LGA封装。

从应用角度看，AU4991面向服务器、工作站与企业存储等高电流 POL 供电场景，典型负载包括 CPU/GPU/ASIC/AI芯片的核心电压轨，以及各类板级电源模块/多相 VR供电等场景。

BPS晶丰明源

BPD80350E

晶丰明源推出BPD80350E是一颗16V/50A智能功率级DrMOS，基于过零电流检测（ZCD）控制与先进封装技术，实现高频高效能电源管理。该器件支持NVIDIA OpenVReg16标准，可灵活配置16相双轨多相控制器，兼容PWMVID/PMBUS/AVSBUS协议，并通过NVM存储实现多模式参数预设。内置智能保护机制包含周期性过流检测、MOSFET短路保护及过温关断功能，同时提供引脚可编程过流阈值与故障指示输出，强化系统可靠性。

该芯片采用TLGA 5×5紧凑封装，适配空间受限的高密度电源场景（如AI加速卡、GPU供电模块），功率密度较传统方案提升30%以上。其高频开关特性结合多相动态分配算法，可有效降低纹波噪声，满足高性能计算设备对瞬态响应与能效的严苛需求，为智能电源系统提供高集成度、强鲁棒性的硬件解决方案。

BPD80690

晶丰明源DrMOS BPD80690，广泛适用于4.5V-16V输入电压范围，90A DC电流，工作频率可高达1.5MHz。满足高瓦数、高效能和高功率密度芯片供电需求，实现高频小型化供电方案，在热性能和EMI性能上表现优异。同时BPD80690集成温度检测功能，电流检测功能及多种保护功能，包括过流、过温保护等功能。同时，BPD80690提供TLGA 5×6mm封装，适用于高频、大电流、小形态DC/DC转换器、用于CPU、GPU和存储阵列的多相电压调节器等多种高频、高功率密度的供电场景需求。

EINNO艾诺

ES5131

艾诺ES5131是一款智能功率级芯片，内部将半桥功率MOSFET与栅极驱动单片集成，器件输入电压范围4.25~16V，VCC/VDRV供电范围4.25–5.5V，输出电压范围0.25–5.5V；支持70A 连续输出电流，并具备90A峰值限流与锁存式过流保护。开关频率最高可到2MHz，兼容3.3V 三态 PWM 输入；提供5µA/A 高精度电流上报与模拟温度输出，同时集成VCC/VDRV UVLO、引导自举UVLO、过温关断、深度休眠省电与故障告警等功能。另外，该芯片的封装为LQFN 5×6，且无需外置自举电容。

在应用层面，ES5131可用于CPU、内存的VRM 功率级、服务器系统中的高电流母线/负载点供电轨，以及交换机、基站等通信基础设施设备的高电流降压电源。对于需要“高电流 + 高频小型化 + 可测可管”的电源设计，它把功率器件、驱动与电流/温度遥测集成到一个器件里，能明显简化控制器外围。

ES5132

ES5132是一颗智能功率级芯片，内部把半桥功率MOSFET与栅极驱动集成，面向高电流、高频DC-DC Buck优化死区时间与环路寄生，从而提升效率与功率密度。其输入电压范围4.25~16V，VCC/VDRV供电 4.25–5.5V，输出电压范围0.25~5.5V；支持70A连续输出电流， 90A峰值树池。最高开关频率可达 2MHz，兼容 3.3V 三态 PWM 输入；差异点在于它提供5mV/A的 MOSFET 电流模拟上报，同时还有 PTAT 温度模拟输出，并集成VCC/VDRV UVLO、引导自举UVLO、过温关断、深度休眠省电与故障告警等功能。另外，该器件封装为LQFN 5×6，且无需外置自举电容。

在实际应用层面，ES5132可在CPU、内存等VRM多相供电、服务器系统的高电流中间母线/负载点电源轨，以及通信基础设施设备中的高功率密度降压电源等诸多场景应用。

Infineon英飞凌

TDA22590

TDA22590是一颗集成功率级芯片，内置一个低静态电流同步降压栅极驱动IC，该IC与控制器和MOSFET一起嵌入到PG-UFLGA-34-1的封装中。内置成对的栅极驱动器和MOSFET组合能以更低的输出电压实现更高的效率，满足高端CPU、GPU和DDR存储器的供电要求，最高可输出90A电流。

TDA21590

TDA21590集成功率级芯片包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，该IC与控制电路和MOSFET以及有源二极管结构共同封装于PQFN 5×6的单颗芯片，反向恢复电荷极低。该封装针对PCB布局、散热、驱动器/MOSFET 控制时序进行了优化，在遵循布局准则的情况下，开关节点振铃更小。成对的栅极驱动器和MOSFET组合能以更低的输出电压实现更高的效率，满足 CPU、GPU和DDR存储器设计的要求，最高可输出90A电流。

TDA21570

英飞凌TDA21570是一颗70A的集成功率级内置一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，并结合了控制电路、MOSFET以及有源二极管结构，可实现类似肖特基二极管的低VSD，且反向恢复电荷极低。该封装针对PCB 布局、传热、驱动器/MOSFET控制时序进行了优化，在遵循布局准则的情况下，开关节点振铃最小。成对的栅极驱动器和MOSFET组合可在较低的输出电压下实现更高的效率，满足CPU、GPU和DDR存储器设计的需求。

TDA21535

TDA21535集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，该IC与高压侧和低压侧 MOSFET以及有源二极管结构共同集成在PQFN 4×5封装内，可实现类似肖特基的低Vsd值，且反向恢复电荷极低。该芯片与英飞凌多相控制器IC配合使用时，可构成一个完整的低电压、高功率DC/DC稳压器，最高可输出35A电流，适合CPU、GPU、服务器、DDR内存等多种场景应用。

TDA21520

TDA21520集成功率级芯片包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，该IC与高压侧和低压侧 MOSFET 以及有源二极管结构共同封装，可实现类似肖特基的低Vsd值，且反向恢复电荷极低。TDA21520 功率级与英飞凌多相控制器 IC 配合使用时，可构成一个完整的低电压、高功率DC/DC稳压器，最高可输出20A电流。该芯片可在CPU、GPU稳压供电、DDR内存供电、通信等诸多领域应用。

IVS长工微

IS6811A

长工微IS6811A 是集成功率 MOSFET 和驱动 IC 的智能功率级，可在3V -22V 宽输入电压内提供30A的连续输出电流，瞬时承载能力超过100A，具备高精度电流与温度监测，支持过流、过温保护及故障上报功能。该器件支持100kHz -2MHz 频率，在芯片瞬态达较高频率时，仍能保证正常工作，且支持 Standby 模式与过流保护计数功能，可切换 MIN_OFF 时间以实现快速动态响应，是注重高效率和小尺寸多相方案的理想之选。

IS6809A

长工微IS6809A 是内置高/低侧功率 MOSFET 与栅极驱动器的智能功率级，在宽输入电压内（3V-16V）提供高达70A 的输出电流，兼具高功率密度与优异的热性能。支持100kHz —2MHz 开关频率，通过优化死区控制与低寄生电感设计，显著提升转换效率与动态负载响应能力。

IS6809A 支持精确的电流与温度采样，可实时监测电感电流与结温，可接收控制器的三态脉宽调制（PWM）信号，还提供包括过流、短路、过温在内的多重保护功能及故障报警机制，全面增强系统可靠性。

IS6812A

长工微IS6812A 是内置高/低侧功率 MOSFET 与栅极驱动器的智能功率级，可在3V -16V 输入电压内提供70A 的连续输出电流，凭借优化的 MOSFET 设计实现高电流输出、优异的热性能和能效表现。该器件支持100kHz - 2MHz 工作频率及三态脉宽调制（PWM）信号，同时具备精确的电流与温度监测、警报及完整的保护机制。

IS6816B

长工微IS6816B 是内置高/低侧功率 MOSFET 与栅极驱动器的智能功率级，在2.5V –16V 输入电压内持续输出90A，且具备优异能效表现与良好的热性能。该器件支持高达 1.5MHz 开关频率，配合优化的 MOSFET 设计与内部电流检测机制，显著提升转换效率与动态响应能力，并有助于实现外围元件的小型化。芯片支持高精度的电流/温度监测、警报功能，兼容3.3V 三态 （PWM ）信号，并具备完整的系统保护机制，包括过流、过温、欠压锁定及故障报警，确保系统在高功率密度应用中稳定可靠运行。

IS6821A

长工微IS6821A 是集成高/低侧功率 MOSFET 和栅极驱动器的智能功率级，采用4mm x 6mm封装，在宽输入电压范围提供90A 的连续输出电流，是高效率、小尺寸的多相应用理想选择。

得益于优化的 MOSFET，该器件具有优异的电流承载能力、热性能和能效，支持接收控制器的三态脉宽调制（PWM）信号。其具备完整的保护机制，IMON 引脚能提供5uA/A 增益的高精度的电流检测信号，TMON 引脚可实时监控内部温度，并在发生严重故障时迅速将信号拉高至3.3V 告警。

JOULWATT杰华特

JWH7030

杰华特JWH7030是一颗集成功率级芯片，内部集成两个NMOS和半桥栅极驱动器，芯片可以提供30A的输出电流，将驱动器和MOS管集成能够优化死区时间和降低集成电感，支持100KHz-1.5MHz开关频率。芯片支持三态PWM信号，内部集成电流采样输出VCC欠压保护，逐周期过流保护和过热保护，并具备失效指示，采用QFN3*5-21封装。

JWH7067

杰华特JWH7067是一颗集成功率级芯片，内部集成两个NMOS和半桥栅极驱动器，支持3-16V输入电压，具备70A输出电流能力。将驱动器和MOS管集成，提供了高效的低电压输出，专为CPU，GPU和内存设计。芯片支持100KHz-1.5MHz开关频率。芯片具备逐周期过流保护，欠压保护，芯片温度报告和温度保护，支持三态PWM信号，具备失效指示，采用TLGA5*6封装。

JWH7069

杰华特JWH7069是一颗集成功率级芯片，内部集成两个NMOS和半桥栅极驱动器，支持3-16V输入电压，具备90A输出电流能力。将驱动器和MOS管集成，提供了高效的低电压输出，专为CPU，GPU和内存设计。芯片支持300KHz-1.5MHz开关频率。芯片具备逐周期过流保护，欠压保护，芯片温度报告和温度保护，支持三态PWM信号，具备失效指示，采用TLGA5*6封装。

JWH7079

杰华特JWH7079是一颗集成功率级芯片，内部集成两个NMOS和半桥栅极驱动器，支持3-16V输入电压，具备90A输出电流能力。将驱动器和MOS管集成，提供了高效的低电压输出，专为CPU，GPU和内存设计。芯片支持300KHz-3MHz开关频率。芯片具备逐周期过流保护，欠压保护，芯片温度报告和温度保护，支持三态PWM信号，具备失效指示，采用TLGA4*6封装。

MERAKI茂睿芯

MK6840

茂睿芯MK6840是一颗DrMOS芯片，支持最高90A电流输出，集成了两颗MOSFET和驱动芯片，采用业界标准的4mm×6mm QFN封装，大幅提高了功率密度和热管理性能。

MK6840专为AI服务器、数据中心及高性能计算设备设计，具备峰值逐周期限流、负电流保护和BOOT电容自动刷新等多重保护功能，可为CPU、GPU等算力芯片提供高精度电流上报，提升系统性能并降低能耗，其设计完全兼容主流多相控制器。

MK6850

茂睿芯MK6850芯片集成了两颗的SGT MOSFET和驱动芯片，采用业界标准的5mm×6mm QFN封装，大幅提高了功率密度和热管理性能。经过严格测试，MK6850展现出高可靠性、高效率和高精度IMON上报等优势，在典型工况下实现了94.7%的峰值效率，并确保产品在高负载条件下的稳定性。

MK6850专为AI服务器、数据中心及高性能计算机设计，支持90A电流输出，具备峰值逐周期限流、负电流保护和BOOT电容自动刷新等多重保护功能，可为CPU、GPU等算力芯片提供高精度电流上报，提升系统性能并降低能耗。其设计完全兼容主流多相控制器，已通过多平台验证，表现优异。

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MK6851

茂睿芯MK6851是一颗DrMOS芯片，支持最高90A电流输出，集成了两颗MOSFET和驱动芯片，采用业界标准的5×6mm QFN封装，大幅提高了功率密度和热管理性能。

MK6851专为AI服务器、数据中心及高性能计算设备设计，具备峰值逐周期限流、负电流保护和BOOT电容自动刷新等多重保护功能，可为CPU、GPU等算力芯片提供高精度电流上报，提升系统性能并降低能耗，其设计完全兼容主流多相控制器。

MPS芯源半导体

MP86905

MP86905 是一款集成内部功率MOSFET 和栅极驱动器的单片半桥芯片。MP86905在宽输入范围内可实现50A连续输出电流。

MP86905是一种单片IC，每相可驱动高达 50A 的电流。该器件将驱动和 MOSFET 集成在一起，减少了寄生电感的产生，同时实现了最优的死区时间，大大提高了芯片的效率。MP86905 的工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。该芯片提供许多功能以简化系统设计。MP86905 配合带三态 PWM 信号的控制器使用，并具有精确的电流采样功能以监控电感电流以及温度采样功能以报告结温。MP86905 是高效小尺寸服务器应用的理想之选。MP86905 采用小型FC-QFN（4mmx4mm）封装。

MP86912C

MP86912C是一款内置功率 MOSFET 和栅极驱动器的单片半桥驱动器，在宽输入电压（VIN）范围内可实现25A的连续输出电流 (IOUT)。该器件集成了驱动器和MOSFET，优化了死区时间并减少了寄生电感，从而实现了高效率。其工作频率范围为100kHz 至 2MHz。

该器件可与三态输出控制器配合使用，并提供通用电流采样和温度采样。它是注重效率与小尺寸的笔记本电脑应用理想之选,MP86912C采用 LGA (3mmx4mm) 封装。

MP86920

MP86920是一款集成内部功率MOSFET和栅极驱动器的单片半桥驱动器。它可以在宽输入电压 (VIN) 范围内实现高达20A的连续输出电流 (IOUT)。

其集成驱动器和 MOSFET 通过优化死区时间并降低寄生电感实现高效率。它可以与具有三态输出的控制器配合使用，工作频率为 100kHz 至 2MHz。另外，该器件还提供通用的电流采样和温度采样功能。MP86920适用于注重高效率与小尺寸的服务器和电信应用。MP86920 采用 LGA-27 (4mmx5mm) 封装。

MP86933

MP86933是一款内置功率 MOSFET 和栅极驱动器的单片半桥驱动器。MP86933 在宽输入电压范围内可实现12A连续输出电流，工作频率为100kHz~2MHz。

该器件将驱动器和MOSFET集成在一起，减少了寄生电感的产生，同时实现了最优的死区时间，大大提高了其效率。MP86933 与三态输出控制器配合使用，并具有通用电流采样和温度检测功能。MP86933 是高效率小尺寸服务器和电信应用的理想之选。MP86933 采用小尺寸 FC-TQFN-13（3mmx3mm）封装。

MP86934

MP86934 是一款集成内部功率 MOSFETs 和栅极驱动的单片半桥芯片。它在宽输入范围内可实现25A的连续输出电流。MP86934 将驱动和MOSFETS集成在一起，减少了寄生电感的产生，同时实现了最优的死区时间，大大提高了芯片的效率。

这款超小型 3mm x 4mm FC-TQFN 芯片的工作频率为100kHz - 2MHz。MP86934配合三态（高阻态）输出控制器使用。同时还具有通用电流采样和温度检测功能，是高效小尺寸服务器和电信应用的理想之选。

MP86935-A

MP86935-A是一款内部集成功率MOSFET和栅极驱动器的单片半桥驱动器。该器件在宽输入电源范围内可实现高达60A的连续输出电流 (IOUT)。MP86935-A 可驱动每相高达 60A 的电流。其集成驱动器和MOSFET通过优化死区时间 (DT) 并降低寄生电感实现高效率。其工作频率为100kHz~3MHz。

MP86935-A具备多项可简化系统设计的功能，而且可与具有三态脉宽调制 (PWM) 信号的控制器配合使用。另外，该器件还提供精确的电流采样以监测电感电流 (IL)，同时提供温度采样以报告结温 (TJ)。MP86935-A是注重效率与小尺寸的服务器应用理想之选。它采用 TLGA-35 (3mmx6mm) 封装。

MP86936

MP86936是一款集成内部功率 MOSFET 和栅极驱动器的单片半桥Intelli-Phase™解决方案。它可以在宽输入电压 (VIN) 范围内实现高达 60A 的连续输出电流 (IOUT)。该器件采用单片IC方法，可驱动每相高达 60A的电流。其集成驱动器和 MOSFET 通过优化死区时间并降低寄生电感实现高效率。它可以与具有三态脉宽调制 (PWM) 信号的控制器配合使用，工作频率为 100kHz 至 3MHz。

MP86936具备多种可简化系统设计的功能，包括提供精确的电流采样(Accu-Sense™)和温度采样，以监测电感电流并报告结温。该器件是注重高效率与小尺寸的服务器应用理想之选。MP86936采用TQFN-23 (3mmx6mm)封装。

MP86945A

MP86945A 是一款内置功率 MOSFET 和栅极驱动器的单片半桥芯片。MP86945A 在宽输入范围内可实现60A连续输出电流MP86945A 是一款单片 IC，每相驱动电流高达60A。该芯片将驱动和 MOSFET 集成在一起，减少了寄生电感的产生，同时实现了最优的死区时间，大大提高了芯片的效率。MP86945A 的工作频率为 100kHz 至 2MHz。MP86945A 提供了许多功能以简化系统设计。

MP86945A 配合带三态 PWM 信号的控制器使用，并集成了精确的电流采样功能来监控电感电流以及温度采样功能来报告结温。MP86945A 是高效小尺寸服务器应用的理想之选。

MP86950

MP86950是一款内置功率 MOSFET 和栅极驱动器的单片半桥。它可以在 4.5V 至 16V 的宽输入电压 (VIN) 范围内实现高达 50A 的连续输出电流 (IOUT)。该器件每相驱动电流高达 50A。其集成驱动器和 MOSFET 通过优化死区时间并降低寄生电感实现高效率。该器件的工作频率为 100kHz~2MHz。

MP86950提供多种可简化系统设计的功能，并能与具有三态脉宽调制 (PWM) 信号的控制器配合使用。另外，该器件还提供精确的电流采样（Accu-Sense™）和温度采样，以监测电感电流并报告结温。该器件是注重高效率与小尺寸的服务器应用理想之选。MP86950 采用小尺寸 TLGA-27 (4mmx5mm) 封装。

MP86952

MP86952是一款耐辐射的单片半桥 IC，具有内部功率 MOSFET 和栅极驱动器。 它可以在 3V 至 16V 的宽输入电压 (VIN) 范围内实现高达 70A 的连续输出电流 (IOUT)。Intelli-PhaseTM 解决方案可实现高达 70A的每相驱动电流。其集成 MOSFET 和驱动器通过优化死区时间 (DT) 和降低寄生电感来提供高效率。该器件的工作频率为100kHz~3MHz。

MP86952 提供多项功能来简化系统设计，同时兼容三态脉宽调制 (PWM) 信号控制器。它具备精确的电流采样 (Accu-SenseTM)和温度采样功能，可以监测电感电流 (IL)并报告结温 (TJ)。该器件是注重高效率与小尺寸的服务器应用理想之选。MP86952 采用 LGA-41 (5mmx6mm) 封装。

MP86956

MP86956是一款内置功率 MOSFET 和栅极驱动器的单片半桥芯片。它在宽输入电压范围内可实现 70A 的连续输出电流 (IOUT)。该器件为单片 IC ，每相驱动电流高达 70A。其驱动器和 MOSFET的集成优化了死区时间，并减少了寄生电感，从而实现了高效率。MP86956 的工作频率范围为 100kHz 至 3MHz。

该器件具有多种可简化系统设计的功能。它可接收控制器的三态脉宽调制（PWM ）信号，同时具备精确的电流采样和温度采样功能，以分别实现电感电流的检测并报告结温。MP86956是注重高效率与小尺寸的服务器应用理想之选。 它采用 LGA-41 (5mmx6mm) 和 TLGA-41 (5mmx6mm) 封装。

MP86957

MP86957 是一款集成内部功率 MOSFET 和栅极驱动的单片半桥芯片。它在宽输入范围内可实现70A的连续电流输出。MP86957是一款单片 IC ，每相驱动电流可达70A 。将驱动和 MOSFET 集成在一起，可以通过优化死区时间和减少寄生电感来实现高效率。这款小型 5mmx6mm LGA 芯片的工作频率为100kHz - 3MHz。

MP86957 具有多种功能，可以简化系统设计。MP86957通过接收控制器的三态 PWM 信号来实现功率变换。它还提供 Accu-SenseTM电流采样和温度采样，分别用于监测电感电流和报告结温。MP86957 是高效率小尺寸服务器应用的理想之选。

MP86965

MP86965 是一款内置功率 MOSFET 和栅极驱动器的单片半桥驱动器，在宽输入电源范围内可实现 60A 的连续输出电流 (IOUT)。该器件采用单片 IC 方法，每相可驱动高达 60A 的电流。集成驱动器和 MOSFET优化了死区时间并减少了寄生电感，从而实现了高效率。MP86965 的工作频率范围为100kHz~2MHz。

MP86965 提供多种功能以简化系统设计。它可以与具有三态 PWM 信号的控制器配合使用，提供精确的电流采样和温度采样，以监测电感电流并报告结温。 MP86965是注重效率与小尺寸的服务器应用理想之选。它采用 TLGA-31 (4mmx5mm) 封装。

MP86972

MP86972 是一款内置功率 MOSFET 和栅极驱动器的单片半桥驱动器。它可在3V~12V的宽输入电压 (VIN) 范围内实现高达 60A 的连续输出电流 (IOUT)。该器件每相驱动电流高达 60A。其集成驱动器和 MOSFET 通过优化死区时间并降低寄生电感实现高效率。该器件的工作频率为100kHz~3MHz。

MP86972 提供多种可简化系统设计的功能，并能与具有三态脉宽调制 (PWM) 信号的控制器配合使用。另外，该器件还提供精确的电流采样和温度采样，以监测电感电流并报告结温。该器件是注重高效率与小尺寸的服务器应用理想之选。MP86972 采用 TLGA-35 (3mmx6mm) 封装。

MP86992

MP86992 是一款内部集成功率 MOSFET 和栅极驱动器的单片半桥驱动器。该器件在宽输入电源范围内可实现高达 50A 的连续输出电流 (IOUT)。MP86992 采用单片 IC 方法，可驱动每相高达 50A 的电流。其集成驱动器和 MOSFET 通过优化死区时间 (DT) 并降低寄生电感实现高效率。该器件的工作频率为 100kHz 至 3MHz。

MP86992 提供多种可简化系统设计的功能，并能与具有三态脉宽调制 (PWM) 信号的控制器配合使用。另外，该器件还提供精确的电流采样和温度采样，以监测电感电流 (IL) 并报告结温 (TJ)。MP86992 是注重高效率与小尺寸的服务器应用理想之选。它采用 LGA-41 (5mmx6mm) 封装。

MP87993

充电头网了解到，MPS也推出一款MP87993 DrMOS芯片，可搭配MP2988控制器应用，但其他资料不详。

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MP86998

MP86998是一款集成内部功率MOSFET和栅极驱动器的单片半桥驱动器。它可以在宽输入电压 (VIN) 范围内实现高达80A的连续输出电流 (IOUT)。该器件采用单片IC方法，可驱动每相高达 50A的电流。其集成驱动器和 MOSFET 通过优化死区时间并降低寄生电感实现高效率。该器件的工作频率为 100kHz 至 3MHz。

MP86998提供多种可简化系统设计的功能，并能与具有三态脉宽调制 (PWM) 信号的控制器配合使用。另外，该器件还提供精确的电流采样和温度采样，以监测电感电流并报告结温。该器件是注重高效率与小尺寸的服务器应用理想之选。MP86998 采用 TLGA-41 (5mmx6mm) 封装。

MP87190

MP87190 是一款内部集成功率 MOSFET 和栅极驱动器的单片半桥。它可在宽输入电源电压 (VIN) 范围内实现高达 90A 的连续输出电流 (IOUT)。MP87190 的Quiet SwitcherTM 技术 (QST) 采用只能在单片架构中实现的电路设计，以提供电压振铃抑制功能。该技术可以将峰值开关电压限制在 VIN 与 2V 之间，从而提高设备的可靠性、降低 EMI 并减少对 PCB 布局的敏感性。

MP87190 提供多种可简化系统设计的功能，并能与三态脉宽调制 (PWM) 信号的控制器配合使用。另外该器件还提供 Accu-SenseTM 电流采样和温度采样功能，以分别监测电感电流 (IL) 并报告结温 (TJ)。MP87190 是注重高效率与小尺寸的服务器和电信应用理想之选。MP87190 采用 TLGA-41 (5mmx6mm) 封装。

ONSEMI安森美

FDMF6820A

安森美FDMF6820A是一颗DrMOS芯片，面向同步降压应用。器件将驱动器、上管/下管功率 MOSFET以及相关的自举/肖特基二极管功能集成到单芯片内，通过一体化设计来降低系统寄生电感、优化开关动态与导通损耗，从而减少振铃、提升效率与功率密度。该芯片封装采用 PQFN 6×6封装，主打高集成、易布局与热性能增强。

FDMF6820A峰值效率可达93%以上、输入电压0.3~25V，具备60A高电流输出能力、同时针对最高约1MHz开关频率优化。该产品PC主板、刀片服务器主板供电、桌面电脑与工作站、POL高电流 DC-DC、网络与通信处理器电压调节、小型化VR模块等场景应用。

FDMF6823A

安森美FDMF6823A是一颗DrMOS芯片，采用PQFN 6×6封装，支持0.3~25V输入，连续输出电流可达60A。器件把驱动IC、上下桥功率MOS、自举肖特基二极管一并集成，面向同步降压的高电流、高频应用，通过一体化封装与优化的驱动/功率器件动态特性来降低系统寄生与振铃，提升整体效率与功率密度。

FDMF6823A提供跳脉冲/轻载效率控制、驱动禁用、过温警告与 UVLO欠压锁定，并通过自适应栅极时序抑制直通风险。该几件典型应用覆盖高性能PC主板、刀片服务器主板、台式机、工作站、POL高电流 DC-DC、网络与通信处理器电压调节、小型化VR模块等场景。

FDMF6823C

XS DrMOS系列是新一代经全面优化的超紧凑型集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案，最高可输出50A电流，适用于高电流、高频同步降压DC-DC应用。 FDMF6823C将驱动器IC、两个功率MOSFET和自举肖特基二极管集成到了一个热增强的、超小型PQFN-40封装中。

通过集成方法，可实现完整开关功率级的驱动器、MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFET RDS(ON)优化。 XS™ DrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrench® MOSFET技术，显著减少开关振铃，省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。

Primechip元芯

YX47590

YX47590是一款集成了Si FET的高性能半桥栅极智能功率级。它集成了30V的栅极智能功率级和自举二极管，并支持三重栅极 PWM 输入。其超短的传播延迟和快速的上升和下降时间。

YX47590具有输出电流和温度感应功能，并向控制器报告。内置欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）、高压侧 MOSFET 短路保护（HSS）和过流保护（OCP）有助于确保器件安全可靠地运行。其优化设计确保了从智能功率级到功率晶体管的最低传播延迟，使其成为高频应用的理想选择。智能功率级信号输入与常用的三态PWM兼容，提供灵活的功率级控制。死区时间可通过外部电阻器进行调整，以获得更好的效率或系统可靠性。

Renesas瑞萨

ISL99360/ISL99360B

ISL99360和ISL99360B是一颗60A输出的功率级模组。 ISL99360和ISL99360B集成了高精度电流和温度监控器，可反馈至控制器和倍增器，形成一个完整的多相DC/DC系统。 这些器件移除了 DCR 传感网络设计及与其相关的热补偿来简化设计并提高性能。 通过专用的LFET控制引脚实现了轻载高效。 业界领先的热增强型5x5 PQFN封装可最大限度地减少整体PCB面积。

ISL99360 和 ISL99360B 具有兼容 3.3V 和 5.0V 的三态 PWM 输入，与瑞萨的多相 PWM 控制器配合使用，可在异常工作条件下提供可靠的解决方案。 ISL99360 和 ISL99360B 还集成了 UVLO、HFET 短路、过热和过流的故障保护来提高系统性能和可靠性。 漏极开路故障报告引脚简化了 SPS 和控制器之间的握手过程，并可在启动和故障条件下禁用控制器。

ISL99380R5935/ISL99380BR5935

瑞萨ISL99380R5935/ISL99380BR5935是一颗80A输出的功率级模组，芯片内部集成高精度电流检测和温度检测。内置完善的保护功能，包括上管短路和过电流保护，智能反向过电流保护，过热保护和供电欠压闭锁，采用QFN5*6封装，适用于CPU、GPU以及ASIC供电。

该系列DrMOS与瑞萨数字 PWM 控制器结合使用时，可实现精确的系统级电源管理，并为基于负载线的稳压器提供同类最佳的瞬态响应。这些器件省去了典型的DCR检测网络和相关热补偿元件，从而简化设计。同时该芯片还通过集成故障保护功能（包括 HFET 过流、HFET 短路、智能反向过流 (SROCP)、过温 (OTP) 和 VCC 欠压锁定 (UVLO)）提高了系统性能和可靠性。

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ISL99390R5935/ISL99390BR5935

ISL99390R5935和ISL99390BR5935是90A智能功率级。ISL99390R5935 和 ISL99390BR5935在整个线路、负载和温度范围内提供极高的电流检测精度。与瑞萨数字PWM控制器配合使用时，这些器件可为基于负载线的稳压器提供精密的系统级电源管理和出色的瞬态响应。 这些器件移除了典型的 DCR 传感网络和相关的热补偿组件，以简化设计。QFN 5x6封装可实现高密度设计。

ISL99390R5935 和 ISL99390BR5935 具有瑞萨电子的三态 PWM 输入，与瑞萨电子多相 PWM 控制器和相位倍增器配合使用，可在异常工作条件下提供可靠的解决方案。 ISL99390R5935 和 ISL99390BR5935 还集成了HFET 过流、短路 HFET、智能反向过流（SROCP）、过温（OTP）和 VCC 欠压锁定（UVLO）等故障保护功能，提高了系统性能和可靠性。

RAA221320

RAA221320是一款集成高精度电流和温度监控器的20A输出智能功率级。 集成了高精度电流和温度监控器，可反馈至控制器，形成一个多相 DC/DC 系统。 这些监控器移除了 DCR 传感网络和相关的热补偿来简化设计并提高性能。热增强型4x5 PQFN封装可最大限度地减少整体PCB面积。

SPS具有3.3V兼容三态 PWM 输入，可与瑞萨电子多相 PWM 控制器协同工作，在异常工作条件下提供可靠的解决方案。 SPS 还集成了 UVLO、短路 HFET、过温和过流的故障保护功能，提高了系统性能和可靠性。 漏极开路故障报告引脚简化了 SPS 和控制器之间的握手过程，并可在启动和故障条件下禁用控制器。

RAA221340

RAA221340智能功率级集成了高精度电流和温度监控器，可反馈至控制器，形成一个多相 DC/DC系统。 SPS 移除了 DCR 传感网络和相关的热补偿来简化设计并提高性能。 业界领先的热增强型 4x5 PQFN 封装可最大限度地减少整体 PCB 面积。

SPS 具有 3.3V 兼容型三态 PWM 输入，可与瑞萨电子多相 PWM 控制器配合使用，在异常工作条件下提供可靠的解决方案。 SPS 还集成了 UVLO、短路 HFET、过温和过流的故障保护功能，提高了系统性能和可靠性。 漏极开路故障报告引脚简化了 SPS 和控制器之间的握手过程，并可在启动和故障条件下禁用控制器。

Silergy矽力杰

SQ29670NGG

矽力杰SQ29670NGG是一颗16V/70A的DrMOS芯片，其将半桥栅极驱动器 + 高侧/低侧 MOS集成，并在器件内部集成去耦/驱动相关能力以降低回路寄生、提升功率密度与效率。器件 VIN 最高16V，VDRV/VCC工作在3.0~3.6V，支持3.3V PWM且兼容三态PWM省电逻辑，开关频率可到 2.0MHz。同时集成多重欠压锁定与保护功能。

应用上，这颗器件适合CPU/GPU/ASIC/AI核心供电等大电流应用，以及服务器与通信电源中的高功率密度板级稳压模块等诸多应用场景。

TI德州仪器

CSD96415

CSD96415RWJ是德州仪器推出的DrMOS芯片，把高低侧功率MOSF与驱动器一并在集成QFN 5×6封装中。该器件额定峰值电流80A，同时支持最高 1.75MHz 开关频率，兼容 3.3V/5V PWM，并提供三态 PWM 输入以配合轻载策略。此外没改芯片集成电流感应与温度传感，带模拟温度输出与故障监控功能；并内置自举开关、提供用于击穿/直通保护的优化死区时间。

CSD96415RWJ可在CPU/GPU供电、服务器/台式机主板上的核心电压与非核心电压轨，以及各类大电流 POL、DC-DC转换器等诸多高电流供电场景应用。

CSD96497Q5MC

德州仪器CSD96497Q5MC是一颗DrMOS芯片，面向同步降压 的多相供电场景。器件把高低侧MOS以及栅极驱动器集成在QFN 5×6封装内，并标称65A持续工作电流，开关频率最高可到 1.25MHz，兼容3.3V/5V PWM且支持三态 PWM。同时，该芯片集成多种系统级功能接口与保护。

应用层面，该器件主要面向服务器、台式机V-core供电、内存、辅助电源，以及网络与通信设备中的大电流处理器电压调节模块等诸多场景应用。

uPI力智

uP9642B

uP9642B是一种智能功率级（SPS）解决方案，它集成了经过全面优化的驱动器和 MOSFET，适用于高电流、高频率的同步降压型 DC-DC 转换器。这种 SPS 能够满足先进 CPU、GPU 以及 DDR 内存设计所需的低输出电压和高性能要求。

uP9642B 还支持高级别的高精度模块温度报告功能以及芯片上同步 MOSFET 电流监测功能。其保护功能包括逐周期过流保护、相位故障检测、初步过电压保护、VCC/VDRV 欠压锁定（UVLO）保护以及过热关断保护。uP9642B专为CPU核心电源传输进行了优化。该器件与多相降压型 PWM 控制器配合使用，可构成处理器的完整核心电压调节器。

uP9646

uP9646是一款集成功率级模块，用于台式机和笔记本电脑应用中的多相同步降压 DC-DC 转换器。该器件可为CPU、GPU和DDR内存电源提供高达50A的输出电流并保证高转换效率。

该部件具有英特尔 PS4模式支持、热警告、过流保护和零电流检测功能。系统使用热预警输出来确保安全运行。该器件的过流保护功能进一步增强了对转换器的保护。零电流检测功能提供了更大的应用灵活性。uP9646 还提供全面的保护功能，包括 VCC/VDRV 的欠压锁定和过温保护。uP9646 采用紧凑的WQFN 5×5-31L 封装。目前，该器件已获部分型号英伟达RTX5060显卡采用。

Vishay威世

SiC820/SiC820A

SiC820是一款针对同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC820采用Vishay的 5mm x 6mm MLP封装，使稳压器设计能够提供每相超过80 A的电流。

内部功率MOSFET采用Vishay先进的 TrenchFET® Gen IV技术，可提供业界标杆性能，显著降低开关和传导损耗。

SiC822/SiC822A

SiC822是一款针对同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供大电流、高效率和高功率密度性能。SiC822采用Vishay 的5mm x 6mm MLP封装，使稳压器设计能够提供每相超过70 A的电流。

内部功率MOSFET采用Vishay先进的TrenchFET® Gen IV技术，可提供业界标杆性能，显著降低开关和传导损耗。

SiC830/SiC830A

SiC830是一款集成功率级解决方案，专为同步降压应用而优化，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC830采用Vishay的5mm x 6mm MLP封装，使稳压器设计能够提供每相超过80 A的电流。

内部功率MOSFET采用Vishay先进的 TrenchFET® Gen IV技术，该技术可提供业界标杆性能，显著降低开关和传导损耗。

SiC832/SiC832A

SiC832是一款集成功率级解决方案，针对同步降压应用进行了优化，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC832 采用Vishay 的 5 mm x 6 mm MLP封装，使稳压器设计能够提供每相超过70 A的电流。

内部功率MOSFET采用 Vishay 先进的 TrenchFET® Gen IV 技术，可提供业界标杆性能。

SiC840/SiC840A

SiC840是一款集成功率级解决方案，针对同步降压应用进行了优化，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC840 采用Vishay的5 mm x 6 mm MLP 封装，使稳压器设计能够提供每相超过80A的电流。

内部功率MOSFET 采用 Vishay 先进的 TrenchFET® Gen IV 技术，该技术可提供业界标杆性能，显著降低开关和传导损耗。

SiC648/SiC648A

SiC648是一款智能VRPower器件，集成了高边和低边MOSFET、高性能驱动器以及集成自举 FET。SiC648 提供高精度电流和温度监控器，可反馈至控制器和倍压器，从而完成多相DC/DC 系统。

该器件通过省去DCR检测网络和相关的热补偿，简化了设计并提高了性能。轻载效率由专用 LGCTRL 控制引脚支持。采用Vishay 5mm x 5mm MLP封装。

SiC654

威世SiC654是一款高频集成功率级芯片，针对同步降压应用进行了优化，可提供高电流、高效率和高功率密度。该芯片采用威世专有的MLP 5×5封装，能够提供高达50A的连续电流输出。

SiC654内部MOSFET采用了威世最新的TrenchFET技术，能够显著降低开关损耗和导通损耗。该芯片还内置了一个MOSFET栅极驱动集成电路，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举开关以及开发者可选择的零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还广泛兼容市面PWM控制器，支持三态PWM，并且支持5伏/3.3伏PWM逻辑。此外，该设备还支持PS4模式，以降低系统处于待机状态时的功耗。同时，该芯片提供工作温度监测、保护功能以及警告标志，以增强系统监测和可靠性。

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充电头网总结

DrMOS把高低侧MOSFET与驱动器集成在同一封装内，通过缩短关键回路、降低寄生参数，为多相VRM提供更稳定的高电流、高频供电基础。同时DrMOS普遍集成遥测接口与完善的保护机制，在CPU、GPU、以及AI加速卡的实际应用中，DrMOS可有效提升系统效应速率、稳定性以及转换效率。